[Scrap] 삼성전자-하이닉스 차세대반도체 공동개발 합의

삼성전자와 하이닉스가 차세대 반도체 개발과 국제 표준화, 장비.재료의 국산화 확대 등 3대 기술협력에 나서기로 전격 합의했다.

또 차세대 반도체 제품과 장비.재료 시장의 선점 등을 위해 사상 처음으로 국내 업계가 공동으로 표준화 전략을 추진한다.

지식경제부는 25일 삼성전자와 하이닉스가 3대 기술협력을 적극 추진하기로 합의해 9월부터 테라비트급 차세대 반도체(STT-R램)의 원천기술 개발을 위한 공동 연구개발(R&D)을 시작한다고 밝혔다.

양사는 2012년부터 시장이 형성될 것으로 예상되는 STT-M램을 중점 개발할 계획이다. STT-M램은 스핀주입 자화반전방식 메모리로 비휘발성이지만 S램급의 초고속 동작이 가능하다.

개발 방식은 1990년대 삼성과 LG, 현대 등 반도체 3사가 64메가 D램을 공동개발한 구조와 같은 것으로 업계는 소재 개발과 성능 평가를 맡고 정부는 공동 연구인프라의 장비 투자를 지원한다.

현재 초기 개발 단계인 STT-M램의 원천기술을 2012년까지 확보한다면 연간 로열티를 5천억원 정도 절감할 수 있을 것으로 추정된다.

삼성전자와 하이닉스는 또 반도체 장비.재료의 실질적인 국산화율을 높이기 위한 자체 국산화 전략을 추진해 내년까지 모두 6천463억원 규모의 국산 장비와 재료를 추가 구매키로 했다.

아울러 지경부와 반도체 업계는 대기업과 중소기업 간 기술 지원으로 반도체 장비와 소재의 국산화를 확대하기 위해 업계 공동의 표준화 전략을 사상 처음으로 추진키로 했다.

업계는 2012년 이후 반도체 생산은 450㎜ 웨이퍼 공정으로 전환될 것으로 예상됨에 따라 450㎜ 장비와 재료에 대한 국제표준을 선점한다는 전략이다.

이를 위해 지경부는 8월 중 산.학.관 공동의 '한국 반도체 표준화 협의체'(KSSA)를 구성하고 장비와 재료, 제품 등 3개 분야별 실무반을 운영할 계획이다.

이밖에 국내 반도체 대기업 3사(삼성전자, 하이닉스, 동부)는 지난해부터 추진해온 국내 장비.재료 성능 평가 지원사업을 하반기부터 질적으로 확대하기로 했다.

이들 회사는 7월부터 시작하는 33개 국산 장비.재료에 대한 '성능평가→공동인증→구매검토' 과정에서 맞춤형 기술지도를 강화할 계획이다.

한편 국내 반도체 업계는 현재 반도체협회와 IT-SoC 협회로 나눠져 있는 협회를 통합해 시스템반도체 산업 지원체계를 정비하기로 합의하고 25일 서울 르네상스호텔에서 '반도체 통합협회 출범식 및 발전전략 보고회'를 개최했다.

지경부는 이날 보고회에서 시스템반도체의 시장점유율을 2015년까지 10%로 끌어올린다는 목표로 발전전략을 업계와 공동으로 설정하고 지원하겠다고 밝혔다. (서울=연합뉴스)